日本经济工业省宣布的清单涉及洗濯、成膜、热处置惩罚、曝光、蚀刻、检查等23个种类，包括极紫外（EUV）相关产品的制造装备和三维堆叠存储器的蚀刻装备等。

在0.01Pa以下的真空状态下，对铜（Cu）、钴（Co）、钨（W）（任何一种元素）举行回流（Reflow）的“退火装备（Anneal）”。

EUV曝光偏向的光掩膜版（Mask Blanks）的检测装备、或者“带有线路的掩膜”的检测装备。

1.用于EUV曝光的护膜（Pellicle）。

2.用于EUV曝光的护膜（Pellicle）的生产装备。

3.用于EUV曝光的光刻胶涂覆、显影装备（Coater Developer）。

4.用于处置惩罚晶圆的步进重复式、步进扫描式光刻机装备（光源波长为193纳米以上、且光源波长乘以0.25再除以数值孔径获得的数值为45及以下）。（凭证笔者的盘算，尼康的ArF液浸式曝光装备属于此次管控规模，干蚀ArF以前的曝光装备不在此规模。）

1.在0.01Pa以下的真空状态下，除去高分子残渣、氧化铜膜，形成铜膜的装备。

2.在除去晶圆外貌氧化膜的前道处置惩罚工序中所使用的、用于干法蚀刻（Dry Etch）的多反应腔(Multi-chamber)装备。

3.单片式湿法洗濯装备（在晶圆外貌性子改变后，举行干燥）。

1.属于向性蚀刻 (Isotropic Etching)装备，且硅锗（SiGe）和硅（Si）的选择比为100以上的装备；属于异向性(Anisotropic Etching)刻蚀装备，且含高频脉冲输出电源，以及含有切换时间缺乏300m秒的高速切换阀和静电吸盘（Chuck）的装备。

2.湿法蚀刻装备，且硅锗（SiGe）和硅（Si）的蚀刻选择比为100以上。

3.为异向性蚀刻装备，且蚀刻介电质料的蚀刻尺寸而言，蚀刻深度与蚀刻宽度的比率大于30倍、并且蚀刻幅宽度低于100纳米。含有高速脉冲输出电源、切换时间缺乏300m秒的高速切换阀的装备。

• 使用电镀形成钴（Co）膜的装备。

• 使用自下而上（Bottom-up）成膜手艺，填充钴（Co）或者钨（W）时，填充的金属的逍遥、或者接缝的最大尺寸为3纳米以下的CVD装备。

• 在统一个腔体（Chamber）内举行多道工序，形成金属接触层（膜）的装备、氢（或者含氢、氮、氨混淆物）等离子装备、在维持晶圆温度为100度逐一500度的同时、使用有机化合物形成钨（W）膜的装备。

• 可坚持气压为0.01Pa以下真空状态（或者惰性情形）的、含多个腔体的、可处置惩罚多个工序的成膜装备，以及下面的所有工序中所使用的金属接触层成膜装备：（1）在维持晶圆温度为20度逐一500度的同时，使用有机金属化合物，形成氮化钛层膜或者碳化钨层膜的工艺。（2）在坚持晶圆温度低于500度的同时，在压力为0.1333Pa逐一13.33Pa的规模内，使用溅射工艺，形成钴（Co）层膜的工艺。（3）在维持晶圆温度为20度逐一500度的同时，在压力为133.3Pa逐一13.33kPa的规模内，使用有机金属化合物，形成钴（Co）层膜的工艺。

• 使用以下所有工艺形成铜线路的装备。（1）在坚持晶圆温度为20度逐一500度的同时，在压力为133.3Pa逐一13.33kPa的规模内，使用有机金属化合物，形成钴（Co）层膜、或者钌（Ru）层膜的工艺。（2）在坚持晶圆温度低于500度的同时，在压力为0.1333Pa逐一13.33Pa的规模内，使用PVD手艺，形成铜（Cu）层膜的工艺。

• 使用金属有机化合物，有选择性地形成阻障层（Barrier）或者Liner的ALD装备。

• 在坚持晶圆温度低于500度的同时，为了使绝缘膜和绝缘膜之间不爆发逍遥（逍遥的宽度和深度比凌驾五倍，且逍遥宽度为40纳米以下），而填充钨（W）或者钴（Co）的ALD装备。

2.在压力为0.01Pa以下的真空状态下(或者惰性情形下)，不接纳阻障层（Barrier），有选择性地生长钨（W）或者钼（Mo）的成膜装备。

3.在坚持晶圆温度为20度逐一500度的同时，使用有机金属化合物，形成钌（Ru）膜的装备。

4.“空间原子层沉积装备（仅限于支持与旋转轴晶圆的装备）”，以下皆属于限制规模。（1）使用等离子，形成原子层膜。（2）带等离子源。（3）具有将等离子体关闭在等离子照射区域的“等离子屏障体（Plasma Shield）”或相关手艺手法。

5.可在400度逐一650度温度下成膜的装备，或者使用其他空间（与晶圆不在统一空间）内爆发的自由基(Radical)爆发化学反应，从而形成薄膜的装备，以下所有可形成硅（Si）或碳（C）膜的装备属于限制出口规模：（1）相对介电常数（Relative Permittivity）低于5.3。（2）对水平偏向孔径部分尺寸不满70纳米的线路而言，其与线路深度的比凌驾五倍。（3）线路的线距（Pitch）为100纳米以下。

6.使用离子束（Ion Beam）蒸镀或者物理气相生长法(PVD)工艺，形成多层反射膜(用于极紫外集成电路制造装备的掩膜)的装备。

7．用于硅（Si）或者硅锗（SiGe）（包括添加了碳的质料）外延生长的以下所有装备属于管控规模。（1）拥有多个腔体，在多个工序之间，可以坚持0.01Pa以下的真空状态（或者在水和氧的分压低于0.01Pa的惰性情形）的装备。（2）用于半导体前段制程，带有为净化晶圆外貌而设计的腔体的装备。（3）外延生长的事情温度在685度以下的装备。

8.可使用等离子手艺，形成厚度凌驾100纳米、并且应力低于450MPa的碳硬掩膜（Carbon Hard Mask）的装备。

9.可使用原子层沉积法或者化学气相法，形成钨（W）膜（仅限每立方厘米内氟原子数目低于10¹⁹个）的装备。

10.为了不在金属线路之间（仅限宽度缺乏25纳米、且深度大于50纳米）爆发间隙，使用等离子形成相对介电常数（Relative Permittivity）低于3.3的低介电层膜的等离子体成膜装备。

11.在0.01Pa以下的真空状态下事情的退火装备，通过再回流（Reflow）铜（Cu）、钴（Co）、钨（W），使铜线路的逍遥、接缝最小化，或者使其消逝。